Features | Aplicaciones |
- SILICON N CHANNEL IGBT MODULE
- Features
- Electrodes are Isolated from the heat
- sink (2500V AC)
- High DC current Gain (hFE) (80 or 100 MIN.)
- Low saturation voltage (2 or 2.5V maximum)
- Wide safe operation area
| - Applications
- High Power Switching
- Motor Control
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Marca: No identificadoCaracterísticas electricas: 300A/1000V/1U |
Toshiba * Transistor Type : TRANSISTOR 300A 1000V SINGLE |
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Contamos con Módulos de potencia y gran variedad de Refacciones Electrónicas Industriales de Potencia
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